BAS79D

更新时间： 2024-09-30 22:39:15

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英飞凌 - INFINEON		二极管开关
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3页	70K
描述
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode)

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BAS79D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	VPS05163, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	400 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	4	最高工作温度：	25 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	1 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAS79D 数据手册

Silicon Switching Diodes

BAS 79 A

… BAS 79 D

● Switching applications

● High breakdown voltage

● Common cathode

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BAS 79 A

BAS 79 B

BAS 79 C

BAS 79 D

BAS 79 A

BAS 79 B

BAS 79 C

BAS 79 D

Q62702-A914

Q62702-A915

Q62702-A916

Q62702-A917

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

BAS

79 D

BAS

79 A

BAS

79 B

BAS

79 C

Reverse voltage

100

200

400

Peak reverse voltage

Forward current

VRM

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

1.2

Total power dissipation, T

= 114 ˚C²⁾

Ptot

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 170

≤ 30

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3

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