BAS70WS

更新时间： 2024-11-30 06:41:27

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江苏长电/长晶 - CJ		整流二极管肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	299K
描述
SCHOTTKY DIODE

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BAS70WS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.41 V
最大非重复峰值正向电流：	0.1 A	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

BAS70WS 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-323 Plastic-Encapsulate Diode

SCHOTTKY DIODE

BAS70WS

SOD-323

Features

Low Turn-on Voltage

Fast Switching

PN Junction Guard Ring for Transient and

ESD Protection

1.70

2.65

Marking:

BAS70WS:K73

Unit:mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode ^{@ T = 25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

BAS70

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_F

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current (Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t_p< 1.0s

Power Dissipation (Note 1)

K/W

°C

I_FSM

P_d

100

200

R_qJA

T_j

Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

625

-55 to +125

-65 to +150

T_STG

°C

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Ratings

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

Min

Max

Unit

Test Condition

Reverse Breakdown Voltage (Note 2)

IR=10uA

t_p<300µs, I_F= 1.0mA

t_p<300µs, I_F= 15mA

410

1000

V_F

Forward Voltage

—

I_RM

C_j

t_p< 300µs, V_R= 50V

V_R= 0V, f = 1.0MHz

Peak Reverse Current

Junction Capacitance

100

2.0

I_F= I_R= 10mA to I_R= 1.0mA,

R_L=100W

t_rr

Reverse Recovery Time

—

5.0

Notes:

1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Test period <3000ms.

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