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BAS70C

更新时间： 2024-02-23 02:15:37

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WTE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	61K
描述
Rectifier Diode

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BAS70C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.225 W
最大重复峰值反向电压：	70 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

BAS70C 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

BAS70 / A / C / S

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

Low Turn-on Voltage

Fast Switching

PN Junction Guard Ring for Transient and

ESD Protection

Designed for Surface Mount Application

Plastic Material – UL Recognition Flammability

Classification 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ

SOT-23

Min

Dim

Max

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagrams Below

Weight: 0.008 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 5

All Dimensions in mm

TOP VIEW

BAS70 Marking: A70 BAS70A Marking: A72 BAS70C Marking: A73 BAS70S Marking: A74

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Symbol

Value

Unit

V^RRM

V^RWM

V^R

Forward Continuous Current (Note 1)

Forward Surge Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

I^F

I^FSM

200

600

@ t < 1.0s

P^d

200

°C/W

°C

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

T^j, T^STG

625

-55 to +125

Note: 1. Device on fiberglass substrate.

BAS70 / A / C / S

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