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BAS70-08S

更新时间: 2024-10-02 04:34:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
RF DETECTION DIODE

BAS70-08S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-70包装说明:SOT-323, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.56Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.41 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
元件数量:3端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.07 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:70 V最大反向电流:10 µA
反向测试电压:70 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS70-08S 数据手册

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BAS70-07S / BAS70-08S  
®
RF DETECTION DIODE  
FEATURES AND BENEFITS  
LOW DIODE CAPACITANCE  
LOW SERIES INDUCTANCE AND RESISTANCE  
SURFACE MOUNT PACKAGE  
DESCRIPTION  
Dual and Triple Schottky diode in SOT323-6L  
package. This diode is intented to be used in RF  
application for signal detection and temperature  
compensation.  
SOT323-6L  
BAS70-08S SCHEMATIC DIAGRAM  
BAS70-07S SCHEMATIC DIAGRAM  
1
2
3
6
5
4
1
2
3
6
5
4
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
VR  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Continuous reverse voltage  
Continuous forward current  
Repetitive peak forward current  
Surge non repetitive forward current  
Power Dissipation  
70  
IF  
70  
mA  
mA  
A
IFRM  
IFSM  
P
70  
tp = 10 ms sinusoidal  
Ta = 55°C  
1
250  
mW  
°C  
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
Maximum junction temperature  
Maximum temperature for soldering  
- 65 to +150  
150  
°C  
TL  
260  
°C  
December 2001 - Ed: 2A  
1/4  

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