BAS70-06TA

更新时间： 2024-11-13 13:05:51

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1页	56K
描述
Mixer Diode, Silicon

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BAS70-06TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	70 V
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.41 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	0.2 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS70-06TA 数据手册

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

SOT23 SILICON PLANAR DUAL

SCHOTTKY BARRIER DIODES

ISSUE 3 - JULY 1995

✪

SOT23

SERIES PAIR

COMMON CATHODE

COMMON ANODE

Device Type: BAS70-04

Partmarking Detail: 2Z

Device Type: BAS70-05 Device Type: BAS70-06

Partmarking Detail: 2Z5 Partmarking Detail: 1Z

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

330

UNIT

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltage

V_BR

I_R=10µA

V_R=50V

Reverse Leakage Current I_R

200

410

Forward Voltage

Forward Current

Capacitance

V_F

I_F=1mA

I_F

C_T

V_F=1V

2.0

f=1MHz, V_R=0

Effective Minority Lifetime

(1)

100

f=54MHz, I_pk= 20mA

(Krakauer Test Method)

(1) Sample Test

For typical characteristics graphs see ZC2800E datasheet.

3 - 3

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