BAS70-05-TP

更新时间： 2024-11-24 12:53:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	294K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAS70-05-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	0.72	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.41 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.07 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

BAS70-05-TP 数据手册

M C C

BAS40

THRU

BAS70

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Surface Mount

Schottky Barrier Diode

200 mWatt

ꢀ

SOT-23 Package For surface mount application

Protects from line to V_CCand line to ground

Low forward voltage and reverse recovery characteristics

Bidirectional-low-forward available with “ -04” suffix (Figure 2)

Tape & Reel EIA Standard 481.

Mechanical Data

SOT-23

ꢀ

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

ꢀ

Moisture Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Mounting Position: Any

ꢀ

Weight: .008 grams (approx.)

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -55^oC to +125^oC

Storage Temperature: -55^oC to +150^oC

Power Dissipation: 200 mWatts @ T_amb=25^oC

ꢁ

_a=25 C

BAS40 I_FM=200mA

Forward Continuous Current:

Surge Forward Current: 600mA @ t_p<1s, T_amb=25^oC

=70mA

_a=25 C

BAS70

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

DESCRIPTION

Various configurations of Schottky barrier’ s diodes in SOT-23

package are provided for general-purpose use in high-speed

switching ,mixers and detector applications. They may also be

used for signal integrity and counteract the transmission-line

effects with (PC) board trances by clamping over/and undershoot

from signal reflections with the schottky-low-threshold voltages.

This type of termination also does not depend on matching

the transmission line characteristic impedance, making it

particularly useful where line impendance is unknown or a

variable. This methode of termination can control distortions of

clock, data, address, and control lines as well as provides a

stabilizing effect on signal jitter. It can also significantly reduce

power consumption compared to standard resistor-based

termination methods.

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

.035

.900

.079

inches

2.000

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

BAS70-05-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS70-05-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS70-05T-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

与BAS70-05-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS70-05-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon,
BAS70-05T-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, ULTRA SMALL,
BAS70-05T-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
BAS70-05V	RECTRON	获取价格	SWITCHING DIODE
BAS70-05-V	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual
BAS70-05-V-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual
BAS70-05-V-GS18	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual
BAS70-05W	INFINEON	获取价格	Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection
BAS70-05W	NEXPERIA	获取价格	General-purpose dual Schottky diodeProduction
BAS70-05W	SECOS	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diodes

与BAS70-05-TP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS70-05-TP

BAS70-05-TP 技术参数

BAS70-05-TP 数据手册

BAS70-05-TP 替代型号

与BAS70-05-TP相关器件

与BAS70-05-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS70-05-TP

BAS70-05-TP 技术参数

BAS70-05-TP 数据手册

BAS70-05-TP 替代型号

与BAS70-05-TP相关器件

与BAS70-05-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？