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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-34 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-34 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 最大重复峰值反向电压： | 125 V |
| 最大反向恢复时间： | 1.5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS45A,143 | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34 |
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| BAS45A/A52A | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa |
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| BAS45AL | NXP |
获取价格 |
Low-leakage diode |
|
| BAS45AL | NEXPERIA |
获取价格 |
Low-leakage diodeProduction |
|
| BAS45AL,115 | ETC |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 125V 250MA LLDS |
|
| BAS45AL,135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAS45AL112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAS45AL135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BAS45ALT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAS45AT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa |
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