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BAS40W-05

更新时间: 2024-09-17 18:04:51
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
5页 637K
描述
Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 0.6 A;Forward Voltage Vf : 0.38 V;Reverse Current Ir : 0.2 uA;Recovery Time : 5 ns;Package / Case : SOT-323;Mounting Style : SMD/SMT;Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101

BAS40W-05 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:PLASTIC PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.16Is Samacsys:N
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):265
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向恢复时间:0.005 µs
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAS40W-05 数据手册

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BAS40W/-04  
/-05/-06  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Low Forward Voltage  
Fast Switching  
44  
MARKING:  
BA  
BA  
BA  
BA  
Solid dot = Green molding compound device,if none,  
the normal device.  
VRRM  
VRWM  
VR  
40  
V
300  
IFM  
mA  
mA  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC  
method)  
600  
150  
IFSM  
PD  
R
mW  
/W  
JA  
TJ  
1 5  
-55~+  
TSTG  
-55~+150  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Test conditions  
IR= 10 A  
M
M
U
40  
V
VR=30V  
200  
nA  
IF=1mA  
380  
VF  
CD  
mV  
pF  
n
IF=40mA  
1000  
VR=0,f=1MHz  
5
Irr=1mA, IR=IF=10mA  
RL=100  
t r r  
5
2020-11/02  
REV:D  

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