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BAS40W-05-13 PDF预览

BAS40W-05-13

更新时间： 2024-11-06 15:28:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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BAS40W-05-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.16其他特性：FAST SWITCHING
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAS40W-05-13 数据手册

 浏览型号BAS40W-05-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS40W-05-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BAS40W BAS40W-04 BAS40W-05 BAS40W-06  
BAS40W/-04/-05/-06  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
SOT-323  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
A
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
C
C
B
Mechanical Data  
0.65 Nominal  
E
B
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
•
•
Case: SOT-323  
G
H
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
J
K
J
M
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
F
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
M
α
•
•
•
Polarity: See Diagrams Below  
Marking: See Diagrams Below &Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
BAS40W Marking: K43  
BAS40W-04 Marking: K44  
BAS40W-05 Marking: K45  
BAS40W-06 Marking: K46  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
40  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
28  
200  
V
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
IFSM  
Pd  
600  
200  
RθJA  
Tj  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
625  
-55 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 10µA  
40  
⎯
V
mV  
mV  
IF = 1.0mA, tp < 300µs  
IF = 40mA, tp < 300µs  
380  
1000  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
⎯
VR = 30V  
IR  
Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
⎯
⎯
200  
5.0  
nA  
pF  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω  
trr  
Reverse Recovery Time  
⎯
5.0  
ns  
Notes: 1. Device mounted on FR4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30114 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
BAS40W/-04/-05/-06  
www.diodes.com  
© Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS40W-05-7 DIODES

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 		SOT-323
BAS40W-05V RECTRON

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 		Low Forward Voltage Drop, Fast Switching
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