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BAS40-04-7-F PDF预览

BAS40-04-7-F

更新时间： 2024-11-01 08:48:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS40-04-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.75
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：328025Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：BAS40-04-7-FSamacsys Released Date：2017-06-29 07:39:29
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.38 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS40-04-7-F 数据手册

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BAS40 /-04 /-05 /-06  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant  
"Green" Device (Notes 3 and 4)  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
•
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
•
Polarity: See Diagrams Below  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Top View  
BAS40  
BAS40-04  
BAS40-05  
BAS40-06  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
40  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Forward Surge Current (Note 1)  
200  
600  
mA  
mA  
IFM  
@ t < 1.0s  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Symbol  
PD  
Value  
350  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
357  
Rθ  
JA  
-55 to +125  
-65 to +150  
TJ  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
40  
V
V(BR)R  
⎯
⎯
IR = 10μA  
tp < 300μs, IF = 1.0mA  
tp < 300μs, IF = 40mA  
tp < 300μs, VR = 30V  
VR = 0V, f =1.0MHz  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
RL = 100Ω  
380  
1000  
Forward Voltage  
mV  
⎯
⎯
VF  
IR  
CT  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
20  
4.0  
200  
5.0  
nA  
pF  
⎯
⎯
Reverse Recovery Time  
5.0  
ns  
trr  
⎯
⎯
Notes:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.  
4. Product manufactured with Date Code V9 (week 33, 2008) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to Date Code  
V9 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
1 of 3  
www.diodes.com  
July 2008  
© Diodes Incorporated  
BAS40 /-04 /-05 /-06  
Document number: DS11006 Rev. 21 - 2  
123

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BAS40-04-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS40-04 DIODES

类似代替

 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS70-04FILM STMICROELECTRONICS

功能相似

 SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

与BAS40-04-7-F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS40-04B5000 INFINEON

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BAS40-04B5003 ROCHESTER

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BAS40-04E SWST

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 		肖特基二极管
BAS40-04E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAS40-04-E3-08 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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