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BAS29S62Z

更新时间： 2024-11-30 18:53:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 22K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon

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BAS29S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.67
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAS29S62Z 数据手册

  
BAS29  
Connection Diagram  
3
3
3
L20  
2
1
2
1
2NC  
1
SOT-23  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
120  
200  
V
Average Rectified Forward Current  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
150  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Max  
Units  
VR  
VF*  
Breakdown Voltage  
V
IR = 1.0 mA  
120  
Forward Voltage  
IF = 10 mA  
IF = 50 mA  
IF = 100 mA  
IF = 200 mA  
IF = 400 mA  
VR = 90 V  
0.75  
0.84  
0.90  
1.00  
1.25  
100  
100  
2.0  
V
V
V
V
V
nA  
µA  
pF  
IR*  
Reverse Current  
VR = 90 V, TA = 150°C  
CT  
trr  
Total Capacitance  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
Reverse Recovery Time  
IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,  
50  
ns  
RL = 100 Ω  
*Pulse test : Pulse width=300us, Duty Cycle=2%  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
BAS29, Rev. A  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS29-T NXP

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 		DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAS29T/R NXP

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 		DIODE 0.25 A, 110 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAS29TRL YAGEO

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
BAS29TRL13 YAGEO

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
BAS3005A INFINEON

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