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BAS23W

更新时间： 2024-11-29 08:48:23

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KEC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	347K
描述
USM PACKAGE

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BAS23W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	USM, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向恢复时间：	0.1 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS23W 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

BAS23W

USM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

BAS23W

①

②

2006. 1st Week

[0:1st Character, 1:2nd Character]

* Lot No.

Note) * Lot No. marking method

(A)

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

(G)

(H)

(I)

(J)

1 st Character

Character

arrangement

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(0)

2nd Character

Year

Marking (Week)

Periode (Year)

Remark

1 st Year (2006)

2 nd Year (2007)

3 rd Year (2008)

4 th Year (2009)

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

…

Rotation for 4 years

2008. 9. 8

Revision No : 1

1/1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS240	NXP	获取价格	Schottky barrier diode
BAS240,115	NXP	获取价格	BAS240
BAS240T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.12 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
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BAS270	NXP	获取价格	0.07A, SILICON, SIGNAL DIODE
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BAS28	NXP	获取价格	High-speed double diode
BAS28	INFINEON	获取价格	Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching Electrically insulated diodes)
BAS28	CENTRAL	获取价格	DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE