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BAS221

更新时间: 2024-09-30 22:48:11
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
General purpose diode

BAS221 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-CDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.8
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:R-CDSO-C2最大非重复峰值正向电流:20 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.3 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS221 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS221  
General purpose diode  
1999 May 07  
Product specification  
Supersedes data of 1999 Apr 26  

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