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BAS21VD,165

更新时间: 2024-01-06 14:49:50
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 73K
描述
BAS21VD - High-voltage switching diodes TSOP 6-Pin

BAS21VD,165 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP
包装说明:R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.18
Is Samacsys:N配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:3端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:250 V
最大反向电流:100 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
反向测试电压:200 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAS21VD,165 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
fpage  
BAS21VD  
High-voltage switching diode array  
Product data sheet  
2003 Jul 02  

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