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BAS19TRL

更新时间: 2024-11-30 04:04:43
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国巨 - YAGEO 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon

BAS19TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.1
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS19TRL 数据手册

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