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BAS19T/R

更新时间: 2024-11-06 19:57:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 74K
描述
DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAS19T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.1配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:9 A元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS19T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS19; BAS20; BAS21  
General purpose diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 1999 May 26  

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