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BAS19S62Z

更新时间: 2024-11-06 20:10:51
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAS19S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.6二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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