是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.43 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.625 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 最大功率耗散: | 0.385 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 120 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS19LT3G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
BAS19-Q | NEXPERIA |
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High-voltage switching diodeProduction | |
BAS19RF | TSC |
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Surface Mount Fast Switching Diode | |
BAS19RFG | TSC |
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Surface Mount Fast Switching Diode | |
BAS19S62Z | TI |
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100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB | |
BAS19-T | NXP |
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DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode | |
BAS19T/R | NXP |
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DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode | |
BAS19T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM) | |
BAS19-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
BAS19-T1 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |