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BAS19E6433

更新时间: 2024-01-02 07:52:38
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

BAS19E6433 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.43配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS19E6433 数据手册

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