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BAS19_11

更新时间： 2024-10-30 12:50:11

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管开关
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描述
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

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BAS19_11 数据手册

BAS19 ... BAS21

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2011-07-13

Power dissipation – Verlustleistung

Repetitive peak reverse voltage

250 mW

120...250 V

2.9^±0.1

1.1

Periodische Spitzensperrspannung

0.4

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

1.9

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = A 2 = n.c./frei 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

Type

Typ

Continuous reverse voltage

Dauersperrspannung

V_R[V]

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

BAS19

BAS20

BAS21

100

150

200

120

200

250

Power dissipation − Verlustleistung

P_tot

I_FAV

250 mW ²)

200 mA ¹)

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

625 mA ¹)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

t_p≤ 1 s

t_p≤ 1 µs

I_FSM

0.5 A

2.5 A

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

- 55...+150°C

- 55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Forward voltage

Durchlass-Spannung

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

V_F

< 1.00 V

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

V = V_R

I_R

< 100 nA

< 100 µA

T_j= 150°C V = V_R

Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

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