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BAS19-TP-HF

更新时间： 2024-09-16 20:08:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	227K
描述
Rectifier Diode,

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BAS19-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.35 W	最大重复峰值反向电压：	120 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

BAS19-TP-HF 数据手册

BAS19

THRU

BAS21

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Small

Signal Diodes

250mW

•

Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

Fast Switching speed

Epitaxial Planar Die Construction

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Mechanical Data

•

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Weight: 0.008 grams ( approx.)

SOT-23

Top View

Repetitive

Peak

Reverse

Voltage

V_RRM(V)

Continuous

Reverse

Voltage

V_R(V)

MCC Part

Number

Marking

BAS19

BAS20

BAS21

100

150

200

120

200

250

DIMENSIONS

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

Parameter Symbol Value Unit

Non-repetitive Peak

Forward Surge Current @ t=1s

Average Rectified Forward Current

Forward DC Current at T_amb=25^oC

Repetitive Peak Forward Current

Power Dissipation up to T_amb=25^oC

Thermal Resistance Junction to

Ambient

@ t=1us

2.5

0.5

I_FSM

(1)

I_F(AV)

I_F

200

.085

.37

(2)

200

625

250

Suggested Solder

Pad Layout

I_FRM

.031

.800

tot

^oC/W

^oC

.035

.900

430

.079

2.000

inches

T, T_STG

Operating & Storage Temperature

-65~150

Notes: (1) Measured under pulse conditions;

Pulse time = t_p<= 0.3ms

.037

.950

.037

.950

(2) Device on fiberglass substrate,

See layout on next page

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 3

12 3

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BAS19-V_12	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAS19-V-G	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
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