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BAS19-T

更新时间: 2024-11-06 20:00:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAS19-T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.1
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:120 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS19-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS19; BAS20; BAS21  
General purpose diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 1999 May 26  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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