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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAS19-7-F
BAS19-7-F PDF预览

BAS19-7-F

更新时间： 2024-02-23 13:11:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 355K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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BAS19-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.63
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.25 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS19-7-F 数据手册

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SPICE MODELS: BAS19 BAS20 BAS21  
BAS19 / BAS20 / BAS21  
Lead-free  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
SOT-23  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
A
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Mechanical Data  
B
C
·
Case: SOT-23  
TOP VIEW  
D
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
J
E
G
H
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
M
K
L
J
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy  
42 leadframe).  
L
M
a
·
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
BAS19 Marking: KA8, KT3, KT2 (See Page 3)  
BAS20 Marking: KT2, KT3 (See Page 3)  
BAS21 Marking: KT3 (See Page 3)  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
BAS19  
BAS20  
BAS21  
Unit  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
120  
200  
250  
V
VRWM  
VR  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
100  
71  
150  
200  
141  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
106  
400  
200  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
mA  
mA  
IO  
2.5  
0.5  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
IFRM  
Pd  
Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
625  
250  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
BAS19  
BAS20  
BAS21  
120  
200  
250  
V(BR)R  
IR = 100mA  
V
¾
1.0  
1.25  
IF = 100mA  
IF = 200mA  
VF  
Forward Voltage  
V
¾
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
nA  
100  
15  
IR  
CT  
trr  
Reverse Current @ Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
mA  
VR = 0, f = 1.0MHz  
5.0  
50  
pF  
ns  
IF = IR = 30mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Note:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS12004 Rev. 18 - 2  
1 of 3  
BAS19 / BAS20 / BAS21  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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