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BAS19,215

更新时间: 2024-11-24 19:57:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 74K
描述
BAS19 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin

BAS19,215 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-236
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:2.95
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:2.5 A元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAS19,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS19; BAS20; BAS21  
General purpose diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 1999 May 26  

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