BAS16T

更新时间： 2024-10-01 08:48:19

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美微科 - MCC		整流二极管开关
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3页	230K
描述
150mW 85Volt Switching Diode

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BAS16T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.075 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BAS16T 数据手册

M C C

BAS16T

BAW56T

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

Micro Commercial Components

BAV70T

BAV99T

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

xꢀ Ultra-Small Surface Mount Package

xꢀ For General Purpose Switching Applications

xꢀ High Conductance

150mW 85Volt

Switching Diode

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

BAW56T

BAS16T

BAV99T

BAV70T

Marking : JD

Marking : A2

Marking : JE

SOT-523

Marking : JJ

Maximum Ratings

xꢀ Operating Temperature: -55qC to +150qC

xꢀ Storage Temperature: -55qC to +150qC

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

Peak Repetitive

V_RRM

85V

Reverse Voltage

Continuous

I_F

75mA

Forward Current

Power Dissipation

Peak Forward Surge

Current @t=1.0us

@t=1.0ms

P_D

150mW

DIMENSIONS

INCHES

4.0A

1.0A

0.5A

I_FSM

DIM

MIN

.059

.030

.057

MAX

.067

.033

.069

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

@t=1.0s

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

715mV I_F= 1mA

855mV I_F= 10mA;

1000mV I_F= 50mA

1250mV I_F= 150mA

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

.035

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

V_F

.000

.028

.004

.010

.000

.70

.100

.25

.100

0.80

.200

.35

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

V_R=75Volts

V_R=25Volts

2PA

0.03PA

Typical Total

Capacitance

Reverse Recovery

Time

Measured at

1.5pF

C_T

T_rr

1.0MHz, V_R=0V

4nS

IF = IR = 10mA,

Irr = 0.1 x IR,

RL = 100:

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

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与BAS16T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS16T,115	NXP	获取价格	BAS16 series - High-speed switching diodes SC-75 3-Pin
BAS16T,135	NXP	获取价格	0.155A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-75, 3 PIN
BAS16T_09	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS16T_1	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS16T_10	WEITRON	获取价格	Surface Mount Switching Diodes
BAS16T_13	MCC	获取价格	150mW 85Volt Switching Diode
BAS16-T1	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS16T116	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, SSD3, 3 PIN
BAS16T-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.155A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SOT-523, 3 PIN
BAS16-T1-LF	WTE	获取价格	暂无描述

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