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BAS16S62Z

更新时间: 2024-10-01 14:49:31
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德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAS16S62Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.58
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAS16S62Z 数据手册

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