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BAS16HT1G

更新时间： 2024-11-17 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 信号二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 123K
描述
Small Signal Diode

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BAS16HT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOD-323
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.46
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAS16HT1G 数据手册

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BAS16HT1G  
Connection Diagram  
2
2
A1  
1
SOD-323  
1
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
85  
Units  
V
V
RRM  
I
I
200  
mA  
F(AV)  
FSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
600  
mA  
°C  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-55 to +150  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Units  
mW  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
600  
°C/W  
θJA  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
= 5.0µA  
85  
V
R
R
Forward Voltage  
Reverse Leakage  
I
I
I
I
= 1.0mA  
= 10mA  
= 50mA  
= 150mA  
715  
855  
1.0  
mV  
mV  
V
F
F
F
F
F
1.25  
V
I
V
V
V
= 75V  
= 25V, T = 150°C  
= 75V, T = 150°C  
1.0  
30  
50  
µA  
µA  
µA  
R
R
R
R
A
A
C
Total Capacitance  
V
= 0, f = 1.0MHz  
2.0  
6.0  
pF  
ns  
T
R
t
Reverse Recovery Time  
I = I = 10mA, I = 1.0mA,  
F R RR  
rr  
R = 100Ω  
L
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
BAS16HT1G, Rev. A  
12345

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