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BAS16HT1

更新时间： 2024-11-29 22:20:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Switching Diode

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BAS16HT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.56
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAS16HT1 数据手册

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BAS16HT1  
Preferred Device  
Switching Diode  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Vdc  
http://onsemi.com  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
V
R
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
1
2
I
FM(surge)  
CATHODE  
ANODE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note 1)  
P
D
200  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
°C  
1
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
θ
JA  
SOD−323  
CASE 477  
STYLE 1  
T , T  
−55 to  
150  
J
stg  
1. FR-4 Minimum Pad.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
MARKING DIAGRAM  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Voltage Leakage Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
A6 M  
I
R
µAdc  
(V = 75 Vdc)  
−
−
−
1.0  
50  
30  
R
(V = 75 Vdc, T = 150°C)  
A6 = Specific Device Code  
R
J
(V = 25 Vdc, T = 150°C)  
R
M
= Date Code  
J
Reverse Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
BR  
V
75  
−
Vdc  
mV  
(BR)  
ORDERING INFORMATION  
Forward Voltage  
V
F
(I = 1.0 mAdc)  
−
−
−
−
715  
855  
1000  
1250  
F
Device  
BAS16HT1  
Package  
Shipping†  
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 50 mAdc)  
SOD−323 3000/Tape & Reel  
F
(I = 150 mAdc)  
F
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
−
−
−
−
2.0  
1.75  
6.0  
45  
pF  
Vdc  
ns  
D
Forward Recovery Voltage  
V
FR  
(I = 10 mAdc, t = 20 ns)  
F
r
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Reverse Recovery Time  
(I = I = 10 mAdc, R = 50 Ω)  
t
rr  
F
R
L
Stored Charge  
(I = 10 mAdc to V = 5.0 Vdc,  
Q
pC  
S
F
R
R = 500 Ω)  
L
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2004 − Rev. 3  
BAS16HT1/D  
 
1234

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