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BAS16HLP

更新时间： 2024-02-10 23:39:18
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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BAS16HLP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.3配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.15 W最大反向恢复时间：0.006 µs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS16HLP 数据手册

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BAS16HLP  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Fast Switching Speed  
•
•
Case: DFN1006-2  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminal Connections: Cathode Dot  
Terminals: Finish - NiPdAu over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Breakdown Voltage  
Lead Free by Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
DFN1006-2  
BOTTOM VIEW  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Symbol  
VRM  
Value  
125  
Unit  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
V
RMS Reverse Voltage  
Forward Continuous Current  
71  
215  
V
mA  
VR(RMS)  
IFM  
4
1
0.5  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t = 1.0μs  
@ t = 1.0ms  
@ t = 1.0s  
A
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
Rθ  
JA  
-65 to +150  
TJ , TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Reverse Breakdown Voltage (Note 4)  
100  
V
V(BR)R  
⎯
IR = 100μA  
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
0.715  
0.855  
1.0  
Forward Voltage  
V
VF  
1.25  
V
R = 80V  
VR = 80V, TJ = 150°C  
R = 25V, TJ = 150°C  
nA  
μA  
μA  
nA  
500  
50  
30  
Peak Reverse Current (Note 4)  
IR  
⎯
V
30  
VR = 25V  
Total Capacitance  
1.5  
4.0  
pF  
CT  
trr  
⎯
⎯
VR = 0V, f = 1.0MHz  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100Ω  
Reverse Recovery Time  
ns  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
May 2009  
© Diodes Incorporated  
BAS16HLP  
Document number: DS31740 Rev. 2 - 2  
1234

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