BAS16-TP

更新时间： 2024-01-02 05:59:03

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美微科 - MCC		整流二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	201K
描述
350mW 100Volt Switching Diode

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BAS16-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大反向恢复时间：	0.006 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS16-TP 数据手册

M C C

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

BAS16

Features

•

Low Current Leakage

Low Cost

Small Outline Surface Mount Package

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

350mW 100Volt

Switching Diode

•

Marking :A6

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

SOT-23

RoHS Compliant. See ordering information)

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 357K/W Junction To Ambient

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Reverse Voltage

Peak Reverse

Voltage

Peak Forward

Current

Power Dissipation

Peak Forward Surge

Current

V_R

V_RM

75V

100V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

I_F

300mA

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

P_TOT

I_FSM

350mW

t=1s, None Repet.

Maximum

.085

.37

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

Reverse Recovery

Time

V_F

I_R

1.25V

I_FM= 150mA;

T_J= 25°C*

V_R=75Volts

T_J= 25°C

Suggested Solder

Pad Layout

1µA

50µA

.031

.800

T_J= 150°C

.035

.900

C_J

T_rr

2pF

4ns

Measured at

1.0MHz, V_R=0V

I_F=10mA

.079

2.000

inches

V_R= 6.0V

R_L=100Ω

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 3

12 3

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BAS16-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS16LT1	ONSEMI	功能相似	Switching Diode

与BAS16-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS16-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, P
BAS16TPT	CHENMKO	获取价格	SWITCHING DIODE VOLTAGE 100 Volts CURRENT 0.15 Ampere
BAS16TR	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
BAS16TRL	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
BAS16TRL13	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon
BAS16TS	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAS16TS	MERITEK	获取价格	BAS16TS \| SOD-523 200mW SMD Switching Diode
BAS16TS_16	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAS16TS_R1_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAS16TS_R2_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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