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BAR64V-06-GS18

更新时间： 2024-11-07 19:53:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 衰减器开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
DIODE SILICON, PIN DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, PIN Diode

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BAR64V-06-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.01其他特性：LOW DISTORTION
应用：ATTENUATOR; SWITCHING最小击穿电压：100 V
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容：0.5 pF
标称二极管电容：0.23 pF二极管元件材料：SILICON
最大二极管正向电阻：1.35 Ω二极管电阻测试电流：1 mA
二极管电阻测试频率：100 MHz二极管类型：PIN DIODE
频带：HIGH FREQUENCY TO S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3少数载流子标称寿命：1.8 µs
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified反向测试电压：20 V
子类别：PIN Diodes表面贴装：YES
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BAR64V-06-GS18 数据手册

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BAR64V-06  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
RF PIN Diodes - Dual, Common Anode in SOT-23  
Description  
Characterized by low reverse Capacitance the PIN  
2
3
Diodes BAR64V-06 was designed for RF signal  
switching and tuning. As a function of the forward  
1
bias current the forward resistance (rf) can be  
adjusted over a wide range. A long carrier life time  
offers low signal distortion for signals over 10 MHz up  
1
2
17033  
3
to 3 GHz. Typical applications for this PIN Diodes are  
switches and attenuators in wireless, mobile and TV-  
systems.  
Features  
Mechanical Data  
• High reverse Voltage  
• Small reverse capacitance  
• High breakdown voltage  
Case: SOT-23 Plastic case  
Weight: approx. 8.1 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
Applications  
For frequency up to 3 GHz  
RF-signal tuning  
Signal attenuator and switches  
Mobile, wireless and TV-Applications  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
BAR64V-06-GS18 or BAR64V-06-GS08  
Marking  
Remarks  
Tape and Reel  
BAR64V-06  
D6  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Reverse voltage  
V
100  
100  
R
Forward current  
I
mA  
°C  
F
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
150  
j
T
- 55 to + 150  
°C  
stg  
Electrical Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
= 10 µA  
Symbol  
Min  
100  
Typ.  
Max  
Unit  
V
Reverse voltage  
Reverse current  
Forward voltage  
I
V
R
R
V
= 50 V  
I
50  
nA  
V
R
R
I = 50 mA  
V
1.1  
F
F
Document Number 85696  
Rev. 1.3, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
1
1234

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与BAR64V-06-GS18相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAR64V-06W-GS18 VISHAY

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 		DIODE SILICON, PIN DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE -3, PIN Diode
BAR64-W INFINEON

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