BAR63-04W

更新时间： 2024-09-08 22:39:23

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英飞凌 - INFINEON		二极管开关光电二极管
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描述
Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signal Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz)

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BAR63-04W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.06	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	50 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.3 pF	标称二极管电容：	0.3 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	2 Ω
二极管类型：	PIN DIODE	频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	少数载流子标称寿命：	0.075 µs
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAR63-04W 数据手册

BAR 63 ... W

Silicon PIN Diode

• PIN diode for high speed

switching of RF signal

• Low forward resistance

• Very low capacitance

• For frequencies up to 3 GHz

VSO05561

BAR 63-04W

BAR 63-05W

BAR 63-06W

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

3=C1/A2 SOT-323

3 = C1/2

BAR 63-04W G4s

BAR 63-05W G5s

BAR 63-06W G6s

Q62702-A1261

Q62702-A1267

Q62702-A1268

1 = A1

1 = C1

2 = C2

2 = A2

2 = C2

3 = A1/2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

100

250

150

°C

Total power dissipation, T ≤ 105 °C

tot

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature

- 55 ...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤ 340

≤ 180

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm

Semiconductor Group

Sep-07-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

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