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BAR61E6327HTSA1

更新时间： 2024-01-21 02:35:38

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英飞凌 - INFINEON		衰减器开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	842K
描述
Pin Diode, Silicon,

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BAR61E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	7.91	应用：	ATTENUATOR; SWITCHING
外壳连接：	ANODE AND CATHODE	配置：	COMPLEX
最大二极管电容：	0.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	PIN DIODE	频带：	HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
少数载流子标称寿命：	1 µs	湿度敏感等级：	1
元件数量：	3	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAR61E6327HTSA1 数据手册

BAR1.../BAR61...

Silicon PIN Diode

• RF switch, RF attenuator for frequencies

above 10 MHz

• Low distortion faktor

• Long-term stability of electrical characteristics

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAR14-1

BAR15-1

BAR16-1

BAR61

Type

Package

SOT23

SOT143

Configuration

series

common cathode

common anode

PI element

L (nH) Marking

BAR14-1

BAR15-1

BAR16-1

BAR61

1.8

L7s

L8s

L9s

61s

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Forward current

Symbol

Value

Unit

100

140

250

Total power dissipation

tot

T ≤ 65°C

150

°C

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ... 125

-55 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 340

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2007-04-19

12 3 4 5 6 7

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