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BAR60

更新时间： 2024-01-24 01:33:22

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TYSEMI		射频衰减器二极管开关射频开关测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	62K
描述
RF switch RF attenuator for frequencies above 10 MHz

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BAR60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	100 V	配置：	COMPLEX
最大二极管电容：	0.5 pF	标称二极管电容：	0.35 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	7 Ω
二极管电阻测试电流：	0.01 mA	二极管电阻测试频率：	100 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	少数载流子标称寿命：	4 µs
元件数量：	3	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	反向测试电压：	50 V
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAR60 数据手册

Product specification

BAR60;BAR61

Unit: mm

Features

RF switch

RF attenuator for frequencies above 10 MHz

Absolute Maxim um Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V^R

Value

100

Unit

Forward current

I^F

140

P^tot

250

Total power dissipation, T^S

Junction temperature

(Note 1)

T^j

150

Storage temperature range

Operating temperature range

T^stg

T^op

-55 to +150

580

Junction - ambient¹⁾

Junction - soldering point

Note

R^{th JA}

R^{th JS}

K/W

340

1.Unit Rating.Total Rating = Unit Rating

1.5

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse current

Symbol

Conditions

V^R= 50 V

Min

Typ

Max

100

Unit

I^R

V^R= 100 V

I^F= 100 mA

Forward voltage

V^F

C^T

1.25

0.5

V^R= 50 V, f = 1 MHz

V^R= 0, f = 100 MHz

V^R=0 V,f=100 MHz

I^F= 10 mA, I^R= 6 mA

f = 100 MHz, I^F= 0.01 mA

I^F= 0.1 mA

0.25

0.2

Diode capacitance

Zero bias conductance

Charge carrier life time

g^p

ô^L

2800

380

Differential forward resistance

I^F= 1.0 mA

I^F= 10 mA

Marking

Type

BAR60

BAR61

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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