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BAR43SS62Z

更新时间： 2024-11-15 21:17:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	30K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon

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BAR43SS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.47
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.29 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAR43SS62Z 数据手册

BAR43/A/C/S

Connection Diagrams

BAR43A

BAR43

D95

2NC

BAR43C

BAR43S

MARKING

BAR43 D95 BAR43A DB1

BAR43C DB2 BAR43S DA5

SOT-23

Schottky Diodes

Absolute Maximum Ratings* T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

200

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

750

Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

150

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

**Mounted on ceramic substrate 10mm x 8mm x 0.6mm.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

290

430

R_θJA

°C/W

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Test Conditions

Min

Symbol

Parameter

Max

Units

V_R

V_F

Breakdown Voltage

I = 100

Forward Voltage

I_F= 2.0 mA

I_F= 15 mA

I_F= 100 mA

V_R= 25 V

260

330

450

1.0

0.5

100

I_R

t_rr

Reverse Current

µA

V = 25 V, T = 100 C

Reverse Recovery Time

I_F= I_R= 10 mA, I_RR= 1.0 mA,

R = 100

5.0

Ω

Minimum Detection Recovery Time I_F= I_R= 10 mA, I_RR= 1.0 mA,

80%

R_L= 100 Ω

BAR43, Rev. B

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

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