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BAR43S

更新时间： 2024-06-27 12:05:49
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3页 481K
描述
Schottky Diodes

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BAR43S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.29 W
认证状态：COMMERCIAL最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAR43S 数据手册

 浏览型号BAR43S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAR43S的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Type  
Diodes  
Schottky Diodes  
BAR43/A/C/S(KAR43/A/C/S)  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
Ƶ Features  
3
ƽ Low forward voltage  
ƽ Fast switching  
1
2
+0.1  
-0.1  
+0.05  
-0.01  
0.95  
0.1  
+0.1  
-0.1  
1.9  
BAR43  
BAR43A  
BAR43C  
BAR43S  
Ƶ Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Symbol  
Rating  
30  
Unit  
V
V
RRM  
I
F
100  
mA  
Surge Non-repetitive Forward Current  
tp=10ms Sinusoidal  
IFSM  
750  
P
tot  
250  
400  
125  
mW  
Power Dissipation Ta=25ć (Note1)  
ć/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note2)  
Junction Temperature  
R
șJA  
T
J
ć
Storage Temperature range  
Notes:  
Tstg  
-55 to 150  
1.For double diodes, Ptot is the total power dissipation of both diodes.  
2.Mounted on epoxy board with recommended pad layout.  
Ƶ Electrical Characteristics (T = 25ć unless otherwise specified)  
j
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
R= 100 ȝA  
Min  
30  
Typ  
Max Unit  
Reverse breakdown voltage  
V
R
I
I
I
I
V
V
V
F1  
F2  
F3  
F
F
F
= 2 mA  
0.33  
V
Forward voltage *  
= 15 mA  
= 100 mA  
0.45  
1
I
R1  
R2  
500  
100  
nA  
ȝA  
pF  
V
V
V
R
R
R
=25 V, T  
j
j
= 25ć  
Reverse voltage leakage current **  
I
=25 V, T  
= 100ć  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
C
T
= 1 V, F = 1 MHz  
=10mA,  
=100ȍ  
= 50Kȍ, C = 300pF,  
F = 45Mhz, V = 2V  
7
I
I
F
=10mA, I  
R
t
rr  
5
ns  
%
rr = 1mA, R  
L
R
L
L
Detection efficiency.  
Ș
80  
i
Pulse test: *tp=380ȝs,į<2%  
**tp=5ms,į<2%  
Ƶ Marking  
Type  
BAR43  
D95  
BAR43A  
DB1  
BAR43C  
DB2  
BAR43S  
Marking  
DA5  
1
www.kexin.com.cn  
123

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