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BAP63-03 PDF预览

BAP63-03

更新时间： 2024-10-30 22:19:31
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Silicon PIN diode

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BAP63-03 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82最小击穿电压：50 V
标称二极管电容：0.4 pF最大二极管正向电阻：3.5 Ω
二极管电阻测试电流：0.5 mA二极管电阻测试频率：100 MHz
二极管类型：PIN DIODE少数载流子标称寿命：0.31 µs
最高工作温度：150 °C反向测试电压：
子类别：PIN Diodes表面贴装：YES

BAP63-03 数据手册

 浏览型号BAP63-03的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Silicon PIN diode  
BAP63 – 03  
FEATURES  
· High speed switching for RF signals  
· Low diode capacitance  
· Low diode forward resistance  
· Very low series inductance  
· For applications up to 3 GHz.  
APPLICATIONS  
1
· RF attenuators and switches.  
DESCRIPTION  
2
SOD523 SC-79  
Planar PIN diode in a SOD323 small SMD plastic package.  
1
2
CATHODE  
ANODE  
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
–
MAX.  
50  
UNIT  
V
V R  
I F  
continuous reverse voltage  
continuous forward current  
total power dissipation  
storage temperature  
I
–
100  
mA  
mW  
°C  
P tot  
T stg  
T j  
T s  
<
90°C  
–
500  
-65  
-65  
+150  
+150  
junction temperature  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T j = 25°C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
reverse current  
diode capacitance  
CONDITIONS  
I F =50 mA  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
V F  
I R  
0.95  
–
1.1  
10  
–
V R =35 V  
nA  
pF  
pF  
pF  
Ω
C d  
V R = 0; f = 1 MHz  
0.4  
V R = 1 V; f = 1 MHz  
0.35  
0.27  
2.5  
–
V R = 20 V; f = 1 MHz  
0.32  
3.5  
3
r D  
diode forward resistance  
I F = 0.5 mA; f = 100 MHz; note 1  
I F = 1 mA; f = 100 MHz; note 1  
I F = 10 mA; f = 100 MHz; note 1  
I F = 100 mA; f = 100 MHz; note 1  
V R = 0; f = 900 MHz  
1.95  
1.17  
0.9  
Ω
1.8  
1.5  
–
Ω
Ω
2
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|
|
|
|
|
isolation  
15.4  
10.1  
7.8  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
V R = 0; f = 1800 MHz  
–
V R = 0; f = 2450 MHz  
–
2
2
2
2
insertion loss  
insertion loss  
insertion loss  
insertion loss  
I F = 0.5 mA; f = 900 MHz  
I F = 0.5 mA; f = 1800 MHz  
I F = 0.5 mA; f = 2450 MHz  
I F = 1 mA; f = 900 MHz  
I F = 1 mA; f = 1800 MHz  
I F = 1 mA; f = 2450 MHz  
I F = 10 mA; f = 900 MHz  
I F = 10 mA; f = 1800 MHz  
I F = 10 mA; f = 2450 MHz  
I F = 100 mA; f = 900 MHz  
I F = 100mA; f = 1800 MHz  
I F = 100 mA; f = 2450 MHz  
0.21  
0.28  
0.38  
0.18  
0.26  
0.35  
0.13  
0.20  
0.30  
0.10  
0.18  
0.28  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
S25–1/2  
12

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