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BAP63-03

更新时间： 2024-09-13 12:53:47

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TYSEMI		二极管开关测试射频
页数	文件大小	规格书
3页	256K
描述
High speed switching for RF signals Low diode capacitance Low diode forward resistance

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BAP63-03 数据手册

Product specification

BAP63-03

SOD-323

Unit: mm

■ Features

+0.1

+0.05

1.7_-0.1

0.85_-0.05

● High speed switching for RF signals

● Low diode capacitance

● Low diode forward resistance

● Very low series inductance

+0.1

2.6_-0.1

1.0max

0.475

0.375

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Continuous reverse voltage

Symbol

Rating

Unit

Continuous forward current

100

℃

Ptot

500

Total power dissipation TS = 90℃

Storage temperature

Tstg

-65 to +150

Junction temperature

℃

150

120

Thermal resistance from junction to soldering point

Rth( j-s)

℃/W

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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