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BAP51-02-TP PDF预览

BAP51-02-TP

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 375K
描述
Pin Diode, 60V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BAP51-02-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.67
最小击穿电压：60 V配置：SINGLE
最大二极管电容：0.55 pF二极管元件材料：SILICON
最大二极管正向电阻：2.5 Ω二极管类型：PIN DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.715 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAP51-02-TP 数据手册

 浏览型号BAP51-02-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAP51-02-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
BAP51-02  
Micro Commercial Components  
Features  
General  
Purpose Pin Diodes  
715mW  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
·
·
·
Low diode capacitance  
Low diode forward resistance  
MARKING: A5  
Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified  
SOD523  
Parameter  
Continuous Reverse Voltage  
Forward Current  
Symbol  
VR  
Limits  
Unit  
V
60  
50  
IF  
mA  
mW  
℃
A
B
Power Dissipation(TA=90oC)  
PD  
715  
Junction and Storage temperature  
Tj，Pstg  
-65~+150  
C
E
Thermal Resistance Junction to  
solder point  
RthJs  
85  
K/W  
G
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
D
F
Parameter  
Symbol Min. Max. Unit  
Conditions  
Continuous reverse VR  
voltage  
50  
V
IR=10µA  
H
Forward voltage  
VF  
IR  
1.1  
V
IF=50mA  
VR=50V  
Reverse current  
100  
nA  
DIMENSIONS  
INCHES MM  
MIN  
pF  
VR=0V,f=1MHz  
Cd1  
Cd2  
Cd3  
rD  
0.4(Typ)  
0.55  
0.35  
9
Diode capacitance  
DIM  
A
MAX  
.067  
.051  
.033  
.003  
.014  
.006  
.028  
.031  
MIN  
1.50  
1.10  
0.75  
0.01  
0.25  
0.08  
0.50  
0.51  
MAX  
1.70  
1.30  
0.85  
0.07  
0.35  
0.15  
0.70  
0.77  
NOTE  
.059  
.043  
.030  
.001  
.010  
.003  
.020  
.020  
pF  
VR=1V,f=1MHz  
B
pF VR=5V,f=1MHz  
IF=0.5mA, f=100MHz  
C
D
Ω
E
F
Diode forward resistance  
rD  
rD  
6.5  
Ω
IF=1mA , f=100MHz  
IF=10mA , f=100MHz  
G
H
Ω
2.5  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2012/04/11  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAP51-03 TYSEMI

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 		Low diode capacitance Low diode forward resistance. continuous reverse voltage VR 50 V
BAP51-03 KEXIN

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 		General purpose PIN diode
BAP51-03 NXP

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 		General purpose PIN diode
BAP51-03,115 NXP

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 		General purpose PIN diode SOD 2-Pin
BAP51-03_15 JMNIC

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 		General purpose PIN diode
BAP51-03_2015 JMNIC

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 		General purpose PIN diode
BAP51-03T/R NXP

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 		DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SMD, SC-76, 2 PIN, PIN Diode
BAP51-04W NXP

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 		GENERAL PURPOSE PIN DIODE
BAP51-04W,115 NXP

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BAP51-04W_N_15 JMNIC

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 		General purpose PIN diode

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