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BAP50-02

更新时间： 2024-01-10 19:48:17

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乐山 - LRC		二极管测试光电二极管高压
页数	文件大小	规格书
2页	104K
描述
General purpose PIN diode

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BAP50-02 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最小击穿电压：	50 V
标称二极管电容：	0.4 pF	最大二极管正向电阻：	40 Ω
二极管电阻测试电流：	0.5 mA	二极管电阻测试频率：	100 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	少数载流子标称寿命：	1.05 µs
最高工作温度：	150 °C	反向测试电压：
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BAP50-02 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General purpose PIN diode

BAP50 – 02

FEATURES

· Low diode capacitance

· Low diode forward resistance.

APPLICATIONS

· General RF applications.

DESCRIPTION

General purpose PIN diode in a SOD523 small SMD plastic package.

SOD523 SC-79

CATHODE

ANODE

LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

–

MAX.

UNIT

V _R

I _F

continuous reverse voltage

continuous forward current

total power dissipation

storage temperature

–

°C

P _tot

T _stg

T _j

T _s=90°C

–

715

+150

-65

junction temperature

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS T _j= 25°C unless otherwise specified.

SYMBOL

PARAMETER

forward voltage

reverse voltage

reverse current

diode capacitance

CONDITIONS

I _F=50 mA

MIN

–

TYP. MAX. UNIT

V _F

V _R

I _R

0.95

–

1.1

–

I _R=10µA

–

V _R=50 V

–

100

–

Ω

C _d

V _R= 0; f = 1 MHz

–

0.4

0.3

V _R= 1 V; f = 1 MHz

–

0.55

V _R= 5 V; f = 1 MHz

–

0.22 0.35

r _Ddiode forward resistance

I _F= 0.5 mA; f = 100 MHz; note 1

I _F= 1 mA; f = 100 MHz; note 1

I _F= 10 mA; f = 100 MHz; note 1

V _R= 0; f = 900 MHz

–

Ω

–

Ω

|s ₂₁

isolation

–

20.4

17.3

15.5

1.74

1.79

1.88

1.03

1.09

1.15

0.26

0.32

0.34

–

V _R= 0; f = 1800 MHz

V _R= 0; f = 2450 MHz

I _F= 0.5 mA; f = 900 MHz

I _F= 0.5 mA; f = 1800 MHz

I _F= 0.5 mA; f = 2450 MHz

I _F= 1 mA; f = 900 MHz

I _F= 1 mA; f = 1800 MHz

I _F= 1 mA; f = 2450 MHz

I _F= 10 mA; f = 900 MHz

I _F= 10 mA; f = 1800 MHz

I _F= 10 mA; f = 2450 MHz

–

insertion loss

–

S23–1/2

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