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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAL99-7-F
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BAL99-7-F

更新时间： 2024-01-16 06:40:22
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

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BAL99-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.61
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BAL99-7-F 数据手册

 浏览型号BAL99-7-F的Datasheet PDF文件第2页 
Surface Mount Switching Diode  
COMCHIP  
www.comchip.com.tw  
Voltage: 70 Volts  
Current: 215mA  
BAV99 Thru BAW56  
Features  
Fast Switching Speed  
Surface Mount PackageIdeally Suited  
for Automatic Insertio  
For General PurposeSwitching Applications  
High Conductance  
SOT-23  
.119 (3.0)  
Mechanical data  
Case: SOT -23, Plastic  
.110 (2.8)  
.020 (0.5)  
Top View  
Approx. Weight: 0.008 gram  
3
This diodes isalso available inother  
configurations including adual common  
cathode with typedesignation BAV70, a dual  
common anodes withtype designation  
BAW56 and single chip inside withtype  
Designation BAL99  
1
2
BAV99  
BAL99  
.037(0.95)  
.037(0.95)  
ANODE  
CATHODE  
1
1
2
3
3
ANODE  
ANODE  
2
CATHODE  
CATHODE  
CATHODE  
ANODE  
.103 (2.6)  
.086 (2.2)  
CATHODE  
ANODE  
1
1
.020 (0.5) .020 (0.5)  
3
3
CATHODE  
ANODE  
2
2
Dimensions in inches (millimeters)  
ANODE  
CATHODE  
BAV70  
Maximum Ratings  
BAW56  
Rating  
Symbol  
VR  
Value  
70  
215  
500  
Units  
VDC  
mAdc  
mAdc  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
IF  
I
FM(surge)  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
225  
1.8  
556  
300  
Units  
mW  
mW/°C  
°C/W  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
TA = 25°C  
PD  
RșJA  
PD  
2.4  
417  
–55 to +150  
RșJA  
TJ, Tst  
g
Electrical Characterics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic (OFF CHARACTERISTICS)  
Symbol  
V(BR)  
Max  
-
Units  
Vdc  
Min  
70  
Reverse Breakdown Voltage ( I(BR) = 100 uAdc )  
Reverse Voltage Leakage Current  
VR = 25 Vdc, TJ = 150°C  
30  
2.5  
50  
-
-
-
IR  
V
V
R = 70 Vdc  
R = 70 Vdc, TJ = 150°C  
uAdc  
pF  
CD  
Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz))  
Forward Voltage F = 1.0 mAdc  
1.5  
715  
855  
1000  
1250  
I
-
-
-
-
I
I
I
F = 10 mAdc  
F = 50 mAdc  
F = 150 mAdc  
VF  
Trr  
mV  
nS  
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0mAdc) RL = 100ȍ  
6.0  
1.FR–5 = 1.0 X 0.75X 0.062 in. 2.Aluminum = 0.4X 0.3X 0.024 in. 99.5% aluminum.  
Page 1  
MDS0210001A  
12

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