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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> BA4580YFVM-MTR
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BA4580YFVM-MTR

更新时间： 2024-09-30 12:42:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 运算放大器
页数 文件大小 规格书
30页 814K
描述
Automotive Low Noise Operational Amplifiers

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BA4580YFVM-MTR 技术参数

生命周期：Active包装说明：VSSOP,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.67
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.5 µA
标称共模抑制比：110 dB最大输入失调电压：3000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：2.9 mm
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：105 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：0.9 mm
标称压摆率：5 V/us子类别：Operational Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
标称均一增益带宽：10000 kHz宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

BA4580YFVM-MTR 数据手册

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Datasheet  
Operational Amplifier Series  
AutomotiveLow Noise  
Operational Amplifiers  
BA4580Yxxx-M, BA4584YFV-M  
●General Description  
●Key Specifications  
BA4580Yxxx-M, BA4584YFV-M integrate two or four  
independent Op-Amps on a single chip. These  
Op-Amp have some features of low noise and low  
distortion characteristics and can operate from ±2.0V  
to ±16V(split supply).  
BA4560Yxxx-M, BA4584YFV-M are manufactured for  
automotive requirements of car navigation system, car  
audio, etc.  
Wide operating supply voltage  
(split supply):±2.0V to ±16V  
-40℃ to +105℃  
5V/µs(Typ.)  
Wide Temperature Range:  
High Slew Rate:  
Total Harmonic Distortion:  
Input Referred Noise Voltage:  
0.0005%(Typ.)  
5nV/ Hz (Typ.)  
●Packages  
SOP8  
W(Typ.) xD(Typ.) xH(Max.)  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
5.00mm x 6.40mm x 1.35mm  
●Features  
AEC-Q100 Qualified  
High voltage gain  
MSOP8  
SSOP-B14  
low noise  
low distortion  
Wide operating supply voltage  
Internal ESD protection circuit  
Wide operating temperature Range  
●Application  
Car Navigation System  
Car Audio  
●Simplified schematic  
VCC  
-IN  
OUT  
+IN  
VEE  
Figure 1. Simplified schematic (one channel only)  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays.  
www.rohm.com  
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ22111･14･001  
TSZ02201-0RAR1G200500-1-2  
25.Mar.2013 Rev.002  
1/27  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BA4580YFVMTR ROHM

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