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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> BA4510FV-E2
BA4510FV-E2 PDF预览

BA4510FV-E2

更新时间： 2024-01-11 04:29:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 402K
描述
Low Noise Operational Amplifiers

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BA4510FV-E2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SSOP, TSSOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：1.05Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.5 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.5 µA
标称共模抑制比：80 dB频率补偿：YES
最大输入失调电压：6000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e2长度：4.4 mm
低-失调：NO负供电电压上限：-5 V
标称负供电电压 (Vsup)：-2.5 V功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：75 °C
最低工作温度：-20 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm标称压摆率：5 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：7.5 mA
供电电压上限：5 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
最小电压增益：1000宽度：3 mm
Base Number Matches：1

BA4510FV-E2 数据手册

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Datasheet  
Operational Amplifiers Series  
Low Noise Operational Amplifiers  
BA4510xxx  
●General Description  
●Packages  
SOP8  
W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm  
BA4510 is dual operational amplifier with high gain.  
It has good performance of input referred noise  
SSOP-B8  
TSSOP-B8  
MSOP8  
voltage(6nV/  
) and total harmonic  
Hz  
distortion(0.007%). These are suitable for Audio  
applications.  
●Key Specification  
Wide Operating Supply Voltage  
(split supply) : ±1.0V to ±3.5V  
Wide Temperature Range:  
High Slew Rate:  
Total Harmonic Distortion:  
●Features  
High voltage gain  
Low input referred noise voltage  
Low distortion  
Wide operating supply voltage  
-20°C to +75°C  
5V/µs(Typ.)  
0.007%(Typ.)  
Input Referred Noise Voltage:  
6nV/ Hz (Typ.)  
●Application  
Audio application  
Consumer electronics  
●Block Diagrams  
VCC  
-IN  
OUT  
+IN  
VEE  
Figure 1. Simplified schematic  
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays.  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ22111･14･00  
TSZ02201-0RAR1G200080-1-2  
7.NOV.2012 Rev.001  
1/19  
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BA4510FV-E2 替代型号

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