5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | STABISTOR DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.05 V |
| 正向电压最小值（VF）： | 0.875 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向测试电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BA315136 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BA315143 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BA315153 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35, Stabistor Diode |
|
| BA316 | NXP |
获取价格 |
High-speed diodes |
|
| BA316113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BA316116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BA316133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BA316136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BA316143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BA316153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
