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BA157GP-E3/23

更新时间： 2024-09-23 14:49:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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BA157GP-E3/23 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.61外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

BA157GP-E3/23 数据手册

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BA157GP thru BA159GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for High Reliability  
condition  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Fast switching for high efficiency  
• Low leakage current, typical I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602,  
brazed-lead assembly  
by Patent No. 3,930,306  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
DO-204AL (DO-41)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For general purpose of medium frequency rectification.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
1.0 A  
400 V to 1000 V  
20 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
150 ns, 250 ns, 500 ns  
5.0 µA  
IR  
VF  
1.3 V  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Tj max.  
175 °C  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
BA157GP  
BA158GP  
600  
BA159DGP  
800  
BA159GP  
1000  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
400  
V
V
V
VRMS  
280  
420  
560  
700  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
400  
600  
800  
1000  
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)  
lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
20  
- 65 to + 175  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL BA157GP BA158GP BA159DGP BA159GP  
UNIT  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0 A  
VF  
1.3  
V
Maximum DC reverse current at rated DC  
blocking voltage  
TA = 25 °C  
IR  
5.0  
µA  
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Irr = 0.25 A  
Maximum reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
150  
250  
500  
500  
ns  
at 4.0 V, 1 MHz  
CJ  
15  
pF  
Document Number 88537  
26-Apr-06  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
BA157GP-HE3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signa
BA157GPHE3/54 VISHAY

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