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B772GR(TO-252-2)

更新时间： 2024-11-12 19:55:31

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	37K
描述
Transistor

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B772GR(TO-252-2) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	200	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

B772GR(TO-252-2) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors

6. 50¡ À0. 10

5. 30¡ À0. 05

2. 30¡ À0. 05

0. 51¡ À0. 03

TO-251

TO-252-2

B772 TRANSISTOR (PNP)

5¡

5¡ ã

0. 80¡ À0. 05

FEATURES

0. 60¡ À0. 05

1. BASE

2. 30¡ À0. 05

1. 20

0. 51¡ À0. 03

Power dissipation

P_CM:

1 2 3

2. COLLECTOR

3. EMITTER

6. 50¡ À0. 15

2. 30¡ À0. 10

5. 30¡ À0. 10

1.25

-3

W(Tamb=25℃)

0. 51¡ À0. 05

1. 20

0. 51¡ À0. 10

0¡ «0. 10

Collector current

I_CM:

5¡

0. 80¡ À0. 10

0. 60¡ À0. 10

2. 30¡ À0. 10

0¡

9«¡

Collector-base voltage

V_(BR)CBO- 40

0. 51

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -100µA, I_E=0

Ic= -10mA, I_B=0

I_E= -100µA, I_C=0

V_CB= -40V, I_E=0

MIN

-40

-30

-6

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-1

-10

-1

µA

I_CEO

V_CE= -30V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= -6V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE= -2V, IC= -1A

V_CE= -2V, I_C= -100mA

I_C= -2A, I_B= -0.2 A

400

DC current gain

h_FE(2)

V_{CE (sat)}

V_BE(sat)

-0.5

-1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

_CE= -5V, Ic=-0.1A

f_T

MHz

Transition frequency

f =10MHz

CLASSIFICATION OF hFE ₍₁₎

Rank

200-400

60-120

100-200

160-320

Range

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