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B5819W

更新时间: 2024-01-21 21:46:34
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 417K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

B5819W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
其他特性:FREE WHEELING DIODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

B5819W 数据手册

 浏览型号B5819W的Datasheet PDF文件第2页 
B5817W-5819W  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
SOD-123  
FEATURES  
For use in low voltage, high frequency inverters  
Free wheeling, and polarity protection applications.  
+
MARKING: B5817W: SJ  
B5818W:SK  
-
B5819W: SL  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25  
Unit  
Parameter  
Symbol  
B5817W  
B5818W  
B5819W  
Non-Repetitive Peak reverse voltage  
V
V
V
VRM  
20  
30  
40  
40  
28  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive Peak reverse voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
14  
30  
21  
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
Average Rectified Output Current  
Peak forward surge current @=8.3ms  
Repetitive Peak Forward Current  
IO  
1
9
A
A
A
IFSM  
IFRM  
1.5  
Power Dissipation  
Pd  
500  
250  
mW  
Thermal  
Ambient  
Resistance  
Junction  
to  
/W  
RθJA  
TSTG  
Storage temperature  
-65~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
IR= 1mA  
B5817W  
20  
30  
40  
Reverse breakdown voltage  
V(BR)  
V
B5818W  
B5819W  
B5817W  
B5818W  
B5819W  
VR=20V  
VR=30V  
VR=40V  
Reverse voltage leakage current  
IR  
1
mA  
V
B5817W  
B5818W  
B5819W  
IF=1A  
IF=3A  
IF=1A  
IF=3A  
IF=1A  
IF=3A  
0.45  
0.75  
0.55  
0.875  
0.6  
Forward voltage  
VF  
V
V
0.9  
Diode capacitance  
CD  
VR=4V, f=1MHz  
120  
pF  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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