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B5817W

更新时间： 2024-06-27 12:05:53

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4页	365K
描述
Reverse Voltage Vr : 20 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 9.0 A;Forward Voltage Vf : 0.45 V;Reverse Current Ir : 50 uA;Recovery Time : N/A;Package / Case : SOD-123;Mounting Style : SMD/SMT;Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101

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B5817W 技术参数

Case Style：	SOD-123	IF(A)：	1000
VRRM (V)：	20	IFSM (A)：	25
VF (V)：	0.75	@ IF (A)：	3000
Maximum reverse current：	1000	TRR(nS)：
class：	Diodes

B5817W 数据手册

B5817W

THRU

B5819W

Schottky Barrier Diode

Features

High Current Capability

Low Forward Voltage Drop

Mechanical Data

SOD-123 Small Outline Plastic Package

Marking: B5817W: SJ

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

B5818W: SK

B5819W: SL

Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.)

Parameters

Symbol

Unit

B5817W

B5818W B5819W

VRRM

VRMS

VDC

1.0

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

IFM

Maximum average forward rectified current

IFSM

I²T

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave

0.336

A S

Typical Current Squared Time

RθJA

250

500

Typical thermal resistance

Power Dissipation

TSTG

-50-+150

Storage temperature range

Electrical Characteristics (^{Ratings at 25}ambient temperature unless otherwise specified).

B5818W

B5817W

B5819W

Parameters

Symbol

Test conditions

Unit

IF = 0.5A

IF = 1.0A

IF = 3.0A

0.450

0.550

0.875

0.450

0.600

0.900

0.450

Maximum forward voltage

0.750

Maximum reverse breakdown voltage

Maximum reverse current

IR=1mA

1.0

120

VR=20V B5817W

VR=30V B5818W

VR=40V B5819W

Type junction capacitance

VR = 4.0V, f = 1MHz

2020-11/08

REV:C

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
B5817W_08	BL Galaxy Electrical	获取价格	Schottky Barrier Diode
B5817W_17	SHUNYE	获取价格	SCHOTTKY DIODE
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B5817WHE3	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
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