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B560C PDF预览

B560C

更新时间： 2024-02-18 22:20:16
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 187K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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B560C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, SMC, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：175 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

B560C 数据手册

 浏览型号B560C的Datasheet PDF文件第2页 
B520C-B560C  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers  
REVERSE VOLTAGE: 20 --- 60 V  
CURRENT: 5.0 A  
DO - 214AB(SMC)  
Features  
Plastic package has Underwriters Laborator  
◇
111  
7.5± 0.25  
FlammabilityClassification 94V-0  
For surface mounted applications  
Low profile package  
◇
◇
◇
◇
◇
◇
◇
Built-in strain relief  
Metal silicon junction, majoritycarrier conduction  
High surge capability  
8.3± 0.2  
High current capability,low forward voltage drop  
Low power loss,high effciency  
◇
111  
For use in low voltage high frequency inverters,free  
wheeling and polarityprotection applications  
Guardring for overvoltage protection  
0.25± 0.06  
1.5± 0.25  
◇
◇
11  
High temperature soldering guaranteed:250oC/10 1  
seconds at terminals  
Dimensions in millimeters  
Mechanical Data  
Case:JEDEC DO-214AB,molded plastic over  
1111passivated chip  
◇
Polarity: Color band denotes cathode end  
◇
◇
Weight: 0.007 ounces, 0.21 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified  
B520C  
B530C  
UNITS  
B540C  
B550C  
B560C  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRWS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
V
V
V
MaximumDC blocking voltage  
Maximumaverage forw ord rectified current at  
5.0  
I(AV)  
IFSM  
VF  
A
A
c
TL(SEEFIG.1) (NOTE2)  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half-  
c sine-w ave superimposed on rated load(JEDEC  
c Method)  
175.0  
Maximuminstantaneous forw ard voltage at  
0.50  
0.70  
V
v 5.0A(NOTE.1)  
MaximumDC reverse current @TA=25oC  
0.5  
IR  
mA  
at rated DC blockjing voltage(NOTE1) @TA=100oC  
20  
50.0  
Rθ  
JA  
oC/W  
Typical thermal resitance (NOTE2)  
10.0  
Rθ  
JL  
oC  
oC  
Operating junction and storage temperature range  
Storage temperature range  
TSTG  
TJ  
-65--- +150  
-65--- +150  
-65--- +150  
NOTE: 1.Pulse test:300 S pulse width,1%duty cycle  
μ
2. P.C.B.mounted with 0.55"X0.55"(14.0X14.0mm2)copper pad areas  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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