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B530C PDF预览

B530C

更新时间： 2024-01-19 11:23:17
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 肖特基二极管光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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B530C 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

B530C 数据手册

 浏览型号B530C的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
B520C-B560C  
BL  
REVERSE VOLTAGE: 20 --- 60 V  
CURRENT: 5.0 A  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIERS  
FEATURES  
DO - 214AB(SMC)  
Plastic package has Underwriters Laborator  
111 FlammabilityClassification 94V-0  
◇
For surface mounted applications  
Low profile package  
◇
◇
◇
◇
◇
◇
Built-in strain relief  
Metal silicon junction, majoritycarrier conduction  
High surge capability  
High current capability,low forward voltage drop  
Low power loss,high effciency  
◇
For use in low voltage high frequency inverters,free  
◇
111 wheeling and polarityprotection applications  
Guardring for overvoltage protection  
◇
High temperature soldering guaranteed:250oC/10 1  
◇
11 seconds at terminals  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO-214AB,molded plastic over  
◇
1111passivated chip  
Terminals:Solder Plated, solderable per MIL-STD-750,  
1111Method 2026  
inch(mm)  
◇
Polarity: Color band denotes cathode end  
◇
◇
Weight: 0.007 ounces, 0.21 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified  
B520C  
B2C  
B530C  
B3C  
B540C  
B4C  
B550C  
B5C  
B560C  
B6C  
UNITS  
Device marking code  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRWS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
V
V
V
MaximumDC blocking voltage  
Maximumaverage forw ord rectified current at  
5.0  
I(AV)  
IFSM  
VF  
A
A
c
TL(SEEFIG.1) (NOTE2)  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half-  
c sine-w ave superimposed on rated load(JEDEC  
c Method)  
175.0  
Maximuminstantaneous forw ard voltage at  
0.55  
0.70  
V
v 5.0A(NOTE.1)  
MaximumDC reverse current @TA=25oC  
0.5  
IR  
mA  
at rated DC blockjing voltage(NOTE1) @TA=100oC  
20  
50.0  
Rθ  
JA  
oC/W  
Typical thermal resitance (NOTE2)  
10.0  
Rθ  
JL  
oC  
oC  
Operating junction and storage temperature range  
Storage temperature range  
TSTG  
TJ  
-65--- +150  
-65--- +150  
-65--- +150  
NOTE: 1.Pulse test:300 S pulse width,1%duty cycle  
μ
www.galaxycn.com  
2. P.C.B.mounted with 0.55"X0.55"(14.0X14.0mm2)copper pad areas  
Document Number 0281021  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
12

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